標(biāo)準(zhǔn)落地加速行業(yè)規(guī)范化，智駕產(chǎn)業(yè)鏈迎來機遇；薄膜沉積設(shè)備是半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化的重要一環(huán)，國產(chǎn)廠商正加速突破——0929脫水研報
2025-09-29 19:43
作者：SYSTEM
來源：早知道/脫水研報
【本文來自持牌證券機構(gòu)，不代表平臺觀點，請獨立判斷和決策】
摘要：
1、輔助駕駛：從投資視角來看，當(dāng)前應(yīng)重點關(guān)注兩大方向：一是政策合規(guī)驅(qū)動的市場需求，包括駕駛員監(jiān)測系統(tǒng)（DMS）、數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)以及測試驗證平臺等領(lǐng)域，這些環(huán)節(jié)將直接受益于標(biāo)準(zhǔn)實施帶來的增量需求；二是技術(shù)升級引領(lǐng)的產(chǎn)業(yè)機遇，智能駕駛域控制器、車規(guī)級芯片、線控執(zhí)行機構(gòu)等核心部件將持續(xù)受益于產(chǎn)業(yè)技術(shù)迭代。
2、AI服務(wù)器：東方證券研報指出，晶圓制造工藝升級和先進(jìn)封裝滿足了個人電腦、智能手機等產(chǎn)品的性能升級，但仍可能跟不上AI算力需求的增長和AI服務(wù)器性能的快速發(fā)展需求。系統(tǒng)組裝正成為性能提升的新驅(qū)動力。
3、半導(dǎo)體設(shè)備：2023年國內(nèi)薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模約479億元，國產(chǎn)化率低于25%，國產(chǎn)空間較大。新工藝新結(jié)構(gòu)拓寬薄膜沉積設(shè)備空間，ALD在先進(jìn)節(jié)點及3D結(jié)構(gòu)中應(yīng)用廣泛。
3、儲能：中信建投研報指出，136號文促進(jìn)新能源全面入市，給新能源帶來挑戰(zhàn)，同時也給儲能帶來前所未有的發(fā)展機遇。容量電價、容量補償已成為取代強制配儲的市場化手段，為儲能提供有力的保底收益。
正文：
1、組合輔助駕駛迎來“強監(jiān)管”新階段， L3正式準(zhǔn)入節(jié)點有望在2026年，產(chǎn)業(yè)鏈處于布局關(guān)鍵窗口
隨著組合輔助駕駛功能進(jìn)入規(guī)范化發(fā)展新階段，相關(guān)政策標(biāo)準(zhǔn)正穩(wěn)步推進(jìn)落地進(jìn)程，2025-2027年將形成清晰的“標(biāo)準(zhǔn)制定-過渡實施-全面生效”三階段路徑，這一進(jìn)程將為L3級自動駕駛準(zhǔn)入奠定制度基礎(chǔ)，國海證券認(rèn)為L3正式準(zhǔn)入節(jié)點有望在2026年后到來，當(dāng)前正處于產(chǎn)業(yè)鏈布局關(guān)鍵窗口期。
從投資視角來看，當(dāng)前應(yīng)重點關(guān)注兩大方向：一是政策合規(guī)驅(qū)動的市場需求，包括駕駛員監(jiān)測系統(tǒng)（DMS）、數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)以及測試驗證平臺等領(lǐng)域，這些環(huán)節(jié)將直接受益于標(biāo)準(zhǔn)實施帶來的增量需求；二是技術(shù)升級引領(lǐng)的產(chǎn)業(yè)機遇，智能駕駛域控制器、車規(guī)級芯片、線控執(zhí)行機構(gòu)等核心部件將持續(xù)受益于產(chǎn)業(yè)技術(shù)迭代。
1）汽車產(chǎn)業(yè)新政聚焦：穩(wěn)增長與強安全
2025年9月，汽車產(chǎn)業(yè)政策密集出臺，形成“穩(wěn)增長”與“強安全”雙輪驅(qū)動的新格局。八部門聯(lián)合印發(fā)的《汽車行業(yè)穩(wěn)增長工作方案（2025-2026年）》設(shè)定穩(wěn)健增長目標(biāo)，重點從消費刺激、供給升級、環(huán)境優(yōu)化、國際合作四大維度推動產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，其中智能網(wǎng)聯(lián)與L3級自動駕駛被明確列為拉動消費升級的關(guān)鍵抓手。
同期，工信部就《智能網(wǎng)聯(lián)汽車組合駕駛輔助系統(tǒng)安全要求》強制性國標(biāo)征求意見，標(biāo)志著L2/L2+級輔助駕駛進(jìn)入標(biāo)準(zhǔn)化、規(guī)范化發(fā)展新階段。該標(biāo)準(zhǔn)通過嚴(yán)格界定人機交互時序、系統(tǒng)能力邊界，構(gòu)建了“場地+道路+文件檢驗”的多層級評價方法，為行業(yè)提供清晰可執(zhí)行的安全底線。
2）智能駕駛政策梳理：中央定標(biāo)準(zhǔn)，地方探場景
國家層面政策注重引導(dǎo)與規(guī)范并行，通過構(gòu)建覆蓋技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品準(zhǔn)入、生產(chǎn)監(jiān)管等全鏈條的政策體系，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供穩(wěn)定的制度環(huán)境。特別是2021年以來，《關(guān)于加強智能網(wǎng)聯(lián)汽車生產(chǎn)企業(yè)及產(chǎn)品準(zhǔn)入管理的意見》、《國家車聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)指南（智能網(wǎng)聯(lián)汽車）（2023版）》等關(guān)鍵政策的陸續(xù)出臺，標(biāo)志著我國智能駕駛監(jiān)管體系已形成從頂層設(shè)計到具體實施的完整路徑。
地方層面政策則突出試點突破與差異化探索，各主要城市根據(jù)自身優(yōu)勢開展多樣化實踐。廣州側(cè)重資金補助推動規(guī)?；瘧?yīng)用，北京開放個人乘用車場景，深圳聚焦智能駕駛技術(shù)突破與商業(yè)模式融合，武漢構(gòu)建“車路云一體化”體系，形成了多維度、多層次的試點格局。2023年啟動的“準(zhǔn)入+上路”雙試點及后續(xù)的“車路云一體化”應(yīng)用試點，推動產(chǎn)業(yè)從技術(shù)驗證邁向商業(yè)化探索新階段。
3）標(biāo)準(zhǔn)落地加速行業(yè)規(guī)范化，智駕產(chǎn)業(yè)鏈迎來機遇
中國汽車產(chǎn)業(yè)正從規(guī)模增長向質(zhì)量發(fā)展深化，智能網(wǎng)聯(lián)領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新與安全合規(guī)成為核心驅(qū)動力。政策的密集落地并非限制產(chǎn)業(yè)發(fā)展，而是為高階智駕（L3級）的全面商業(yè)化作鋪墊。投資視角需關(guān)注政策規(guī)范下的技術(shù)升級路徑與產(chǎn)業(yè)鏈格局變化。
①合規(guī)剛性需求領(lǐng)域：
駕駛員監(jiān)測系統(tǒng)（DMS）：標(biāo)準(zhǔn)對駕駛員狀態(tài)監(jiān)測提出明確要求，包括視線追蹤、手部監(jiān)測等，有望推動DMS從選配向標(biāo)配轉(zhuǎn)變。利好傳感器及算法芯片供應(yīng)商。
數(shù)據(jù)記錄系統(tǒng)：標(biāo)準(zhǔn)要求配備事件數(shù)據(jù)記錄功能，且數(shù)據(jù)需滿足“鎖定不可覆蓋”要求，為事故責(zé)任認(rèn)定提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支撐，利好相關(guān)汽車數(shù)據(jù)安全與存儲企業(yè)。
測試驗證平臺建設(shè)：標(biāo)準(zhǔn)實施需要完善的測試驗證能力，相關(guān)測試場地、設(shè)備需求或增加。
②技術(shù)升級與產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)
智能駕駛域控與芯片：算力需求有望持續(xù)提升，域控制器廠商與車規(guī)級芯片龍頭或優(yōu)勢鞏固。
線控執(zhí)行機構(gòu)：風(fēng)險減緩功能（RMF）等功能依賴線控制動/轉(zhuǎn)向等執(zhí)行部件，技術(shù)壁壘高、價值量有望顯著提升。
相關(guān)標(biāo)的：
整車：理想汽車、小鵬汽車、蔚來汽車、鴻蒙智行合作車企；
智能駕駛解決方案商：Momenta、元戎啟行；
汽車零部件：舜宇光學(xué)科技、禾賽-W、速騰聚創(chuàng)、地平線機器人-W、黑芝麻智能、中國汽研、中汽股份、德賽西威、均勝電子、科博達(dá)、經(jīng)緯恒潤、伯特利、耐世特、浙江世寶等。
2、系統(tǒng)組裝，正成為AI服務(wù)器升級新驅(qū)動力
東方證券研報指出，晶圓制造工藝升級和先進(jìn)封裝滿足了個人電腦、智能手機等產(chǎn)品的性能升級，但仍可能跟不上AI算力需求的增長和AI服務(wù)器性能的快速發(fā)展需求。系統(tǒng)組裝正成為性能提升的新驅(qū)動力。
過去數(shù)十年電子行業(yè)的發(fā)展主要依賴晶圓制造工藝的快速進(jìn)步，體現(xiàn)為摩爾定律：集成電路上可以容納的晶體管數(shù)目在大約每經(jīng)過18個月到24個月便會增加一倍，或處理器的性能大約每兩年翻一倍，同時價格下降為之前的一半。
1970年代的Intel4004芯片集成了2250個晶體管，晶體管之間的距離是10微米（10,000nm），而臺積電的最新工藝制程已從2011年的28nm升級至2025年的2nm，并有望在2028年升級至A14工藝（1.4nm）。
但展望未來，制程工藝的升級可能呈現(xiàn)放緩的趨勢，目前甚至有摩爾定律已死的觀點。先進(jìn)封裝成為芯片性能提升的又一驅(qū)動力。
在制程工藝升級放緩背景下，增加單顆裸晶（die）的面積可以增加晶體管數(shù)量，從而提升計算能力。但受限于光刻機的設(shè)計、光罩面積等因素，可處理的極限尺寸（reticlelimit）大約為800-900mm2，而英偉達(dá)的H100單顆裸晶面積已處于該極限范圍。
英偉達(dá)在B200中開始采用雙顆裸晶合封的先進(jìn)封裝工藝，實現(xiàn)了單一封裝內(nèi)集成了2080億顆晶體管，超過H100（800億顆晶體管）數(shù)量的兩倍。據(jù)英偉達(dá)的技術(shù)路線圖，RubinUltra的單一封裝將集成4顆裸晶，實現(xiàn)單卡100PFFP4的算力。
晶圓制造工藝升級和先進(jìn)封裝滿足了個人電腦、智能手機等產(chǎn)品的性能升級，但仍可能跟不上AI算力需求的增長和AI服務(wù)器性能的快速發(fā)展需求。系統(tǒng)組裝正成為性能提升的新驅(qū)動力。AI服務(wù)器中的GPU數(shù)量從常規(guī)的單臺服務(wù)器8張GPU升級至單個機柜72張GPU，并將在2027年的VRUltraNVL576機柜中升級至144張GPU（每張GPU封裝了4顆GPU裸晶，合計576顆GPU裸晶）。
GPU數(shù)量的提升帶來散熱等要求的大幅提升，系統(tǒng)組裝難度大幅提升，比如：GB200NVL72的產(chǎn)能爬坡就受到系統(tǒng)組裝難度的限制。行業(yè)龍頭公司具有技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢，有望受益于系統(tǒng)組裝行業(yè)門檻的提升和競爭環(huán)境的改善。關(guān)注工業(yè)富聯(lián)、海光信息、華勤技術(shù)等AI服務(wù)器系統(tǒng)組裝相關(guān)標(biāo)的。
3、薄膜沉積設(shè)備是半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化的重要一環(huán)，這些國產(chǎn)廠商正加速突破
2023年國內(nèi)薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模約479億元，國產(chǎn)化率低于25%，國產(chǎn)替代空間較大。
1）國產(chǎn)廠商多維發(fā)展突破海外壟斷
2024年12月，美國BIS修訂了《出口管理條例》，對高深寬比結(jié)構(gòu)、新金屬材料等尖端應(yīng)用所需的薄膜沉積設(shè)備實施新的管控。
根據(jù)SEMI和中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)，2023年國內(nèi)薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模約479億元，國產(chǎn)化率低于25%。
目前國內(nèi)薄膜沉積設(shè)備廠商主要包括北方華創(chuàng)、拓荊科技、微導(dǎo)納米、中微公司、盛美上海和晶盛機電等，各廠商發(fā)展側(cè)重點不同，共同助力薄膜沉積設(shè)備國產(chǎn)化崛起。
2）新工藝新結(jié)構(gòu)拓寬薄膜沉積設(shè)備空間，ALD在先進(jìn)節(jié)點及3D結(jié)構(gòu)中應(yīng)用廣泛
薄膜沉積可分為PVD、CVD和ALD三大類。
①邏輯：
隨著制程不斷微縮，多重曝光技術(shù)開始應(yīng)用，其中需要ALD進(jìn)行多次的側(cè)墻沉積。28nm及以下節(jié)點采用的HKMG工藝將采用ALD沉積柵介質(zhì)層和金屬柵極。
GAA是3nm以下節(jié)點的首選結(jié)構(gòu)，除HKMG仍將采用ALD技術(shù)沉積外，內(nèi)側(cè)墻的制備也需通過ALD進(jìn)行Low-K材料填充后再進(jìn)行回刻形成；此外，GAA需通過外延技術(shù)生長出Si-SiGe的超晶格結(jié)構(gòu)以及源極和漏極。
②NAND：
3DNAND層數(shù)正不斷提高，或?qū)⒂?030年突破千層。ALD可滿足溝道硅、隧道氧化物、字線鎢等高深寬比結(jié)構(gòu)中材料的均勻填充。
③DRAM：
隨著DRAM制程進(jìn)入2x-nm及以下節(jié)點，AA、SNC等結(jié)構(gòu)將采用多重曝光技術(shù)進(jìn)行制備，需ALD進(jìn)行側(cè)墻沉積。
單個電容器尺寸正不斷縮小，器件內(nèi)部溝槽以及深孔的深寬比也越來越大，需采用ALD進(jìn)行此類結(jié)構(gòu)的填充，如SN孔中High-K電介質(zhì)疊層沉積。
未來3DDRAM結(jié)構(gòu)有望出現(xiàn)，高深寬比結(jié)構(gòu)將大幅增多，顯著刺激ALD設(shè)備的需求。
3）核心公司
北方華創(chuàng)（PVD實現(xiàn)對邏輯/存儲芯片金屬化制程全覆蓋；CVD實現(xiàn)金屬硅化物、金屬柵極、鎢塞沉積、High-KALD等工藝設(shè)備的全覆蓋）；
中微公司（正在開發(fā)近40種導(dǎo)體薄膜LPCVD/ALD/PVD薄膜沉積設(shè)備，已有六款薄膜沉積產(chǎn)品推向市場）；
拓荊科技（PECVD實現(xiàn)全介質(zhì)薄膜覆蓋，同時布局ALD、SACVD、HDPCVD、超高深寬比溝槽填充CVD以及混合鍵合設(shè)備）；
微導(dǎo)納米（ALD技術(shù)為核心，CVD等多種真空薄膜技術(shù)梯次發(fā)展）；
盛美上海（布局立式爐管設(shè)備和PECVD設(shè)備）；
晶盛機電（8-12英寸減壓外延設(shè)備、ALD設(shè)備）。
4、低滲透率高IRR，儲能迎來非線性增長的奇點，分析師上調(diào)儲能裝機容量預(yù)期
中信建投研報指出，136號文促進(jìn)新能源全面入市，給新能源帶來挑戰(zhàn)，同時也給儲能帶來前所未有的發(fā)展機遇。容量電價、容量補償已成為取代強制配儲的市場化手段，為儲能提供有力的保底收益。
同時新能源市場化促進(jìn)峰谷價差拉大，與容量電價配合，多個省份獨立儲能項目已取得良好的經(jīng)濟性。儲能經(jīng)濟性的提升將帶來行業(yè)爆發(fā)式非線性增長，上調(diào)2025-2027年全球新增儲能裝機至272、441、642GWh，同比增速分別為46.6%、62.1%、45.6%。
1）政策、市場雙管齊下，經(jīng)濟性提升促使儲能實現(xiàn)爆發(fā)式增長
我國新能源上網(wǎng)電價政策先后經(jīng)歷核準(zhǔn)電價、標(biāo)桿電價、平價上網(wǎng)時期，136號文后將進(jìn)入全面市場化交易時期。136號文提出機制電價、機制電量手段作為過渡，對增量項目均提出了很高的市場化要求。山東首批機制電價競價結(jié)果相較煤電基準(zhǔn)電價折價明顯，標(biāo)志新能源市場化改革進(jìn)入深水區(qū)。
河北、甘肅、寧夏、山東、內(nèi)蒙等多省推出容量電價、容量補償政策，為儲能提供了有力的保底收益。同時，新能源進(jìn)入市場促進(jìn)各省峰谷價差顯著拉大，如山東、山西等省新能源裝機容量增長，導(dǎo)致今年以來峰谷價差明顯提高。容量電價、容量補償政策結(jié)合市場化峰谷套利，多省儲能項目可實現(xiàn)良好的經(jīng)濟性，尤其以內(nèi)蒙為明顯。
同時，測算光伏項目通過自發(fā)配儲將電力轉(zhuǎn)移至高電價時段上網(wǎng)，將具備明顯的經(jīng)濟性，消納困難的地區(qū)自發(fā)配儲有望成為趨勢。
2）上調(diào)儲能裝機容量預(yù)期，各環(huán)節(jié)龍頭公司受益
全球儲能需求在新能源滲透率提升、儲能系統(tǒng)成本價格下降雙重驅(qū)動因素下同步爆發(fā)，國內(nèi)外儲能需求實現(xiàn)共振，帶動板塊進(jìn)入新周期。
中信建投上調(diào)2025-2027年國內(nèi)新增裝機預(yù)測至150GWh、260GWh、380GWh，全球新增裝機則可達(dá)272、441、642GWh。
“四大中軍”：寧德時代、億緯鋰能、陽光電源、海博思創(chuàng)，以及電池、集成、PCS、逆變器等各環(huán)節(jié)龍頭企業(yè)。
研報來源：
1、國海證券，戴暢，S0350523120004，汽車行業(yè)專題研究：組合輔助駕駛迎來“強監(jiān)管”新階段，從L2規(guī)范向L3前瞻。2025年09月28日
2、東方證券，韓瀟銳，S0860523080004，系統(tǒng)組裝——AI服務(wù)器升級的新驅(qū)動力。2025年9月28日
3、方正證券，馬天翼，S1220525040003，新工藝新結(jié)構(gòu)拓寬空間，國產(chǎn)廠商多維發(fā)展突破海外壟斷。2025年9月27日
4、中信建投證券，朱玥，S1440521100008，低滲透率高 IRR，儲能迎來非線性增長的奇點。2025年9月29日
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